新的一代电子元件——片状化元件卒当前电子技术的发展中，新一代电子元件——片状元件的发展已成为世界各国电子科学者极为关注的重大课题之一。电子元件片状化技术就是把集成电路，无源和有源分立元件等各种结构都做成无引线的片状元件，采用自动化的表面组装技术用浸焊法或再流焊法平面粘结在印·刷电路板或陶瓷基片上。使用片状元件可以把电子元件进一步小型化，可以做成象米粒一样几个毫米大小的外形尺寸(例如，矩形电阻器的尺寸，1／8W为3．2X]．6mm，1／10W为2．0X1．25mm)；因为片状元件无引线并采用平贴或直接装在印刷电路板表面上，因而可以减少寄生电容和电感，减少焊接失效率，从而大大提高元件的性能和可靠性。片状元件的最大优点是适合于自动化装配(例如，同时装配50—60个片状电阻器的自动装配机也投入使用)，这样可以大大节约劳动力降低成本。由于片状元件有许多优点，各国都在积极研究和大量生产中。特别是日本在片状元件的生产品种、数量、制作工艺的研究和自动化组装技术的发展等方面都居领先地位。表1列出了日本近年来生产片状元件的品种。除了表l所列片状元件外，日本还积极发展其它的片状元件。例如村田制作所发展了!一种片状FM无线电陶瓷滤波器。这种滤波器的外形尺寸长6．5mm，宽3．9mm和高1．3mm。据称该所打算近期内1984年表1日本近年来生产片状元件的种类元件种类矩型圆桂型，阻P臣器玻璃釉电阻器金属膜碳膜金属膜电容器多层陶瓷电容器单层陶瓷电容器钽电解电容器云母电容器铝电解电容器圆筒形陶瓷半导体陶瓷电感器多层电感器线绕电感器线绕晶体管小型晶体管；二极管小型二极管玻璃管封装型微调元件微调电容器微调电位器-——：———一——一一——：—．—-…-——-一-Ic片／高署言丢层*；，二：三苎[苎苎苎少甲申价格千；低组装成本投入大量生产，预计初始月产500，000只。日本东光公司生产了片状的线绕线圈，其外形尺寸为4．5X3．2mm，容许最大电感达lmH。另外还生产有MELF型片状线圈，是在圆柱形铁氧体磁心上绕线或在片状铁氧体磁心上印上银电感器而成，其外形尺寸为功2．2X5．9mm和541．4X3．5mm。此外，无引线的片状元件在LSI产品领域里也正在试制中。日本的日立、富士通和松下电器公司正在生产试制64kbit的动态随机存取存贮器。目前片状元件已经大量用于各种电子设备中，特别是消费类电子设备中，如日本松下电器公司大量采用自产的片状元件用于收音机、电视机、立体声、便携式VTR、VTR照相机、汽车收音机、微型第4期…-——；———…一一…-—…——-一—一——一—一—…一—-一115-；——盒式磁带来旨缸和乙视钿谐器气可以推导出反向温度点为41℃和二阶温度(刘一声摘译自《JEE，(1983)系数等于—lX10—。／-C。38——58)；ZnO／Pyrex零温度系数SAW滤波器SAW带迩滤波器一般是制作在温度稳定性好的ST切石英基片上，或者压电耦合系数较高的LiNbOs基片上。这两种基片都有不足之处，石英的压电耦合系数低而LiNbOs的温度系数较高，因此一直在探索新的SAW基片材料。最近法国汤姆森公司技术声学部的P．Defranould利用ZnO和SiO：或其它的玻璃例如硼硅酸玻璃(Pyrez)温度系数相反的关系，用ZnO／；Pyrex作基片研制成一种重迭结构的SAW带迩滤波器，获得了良好的SAW滤波器特性。ZnO膜是用S—枪的高速磁控溅射装置沉积的。溅射条件包括基片温度为450~(2，气压(02)为2．5miorr，DC功率为1500W，沉积速率为每小时8—9,urn,基片—靶体距离为5，7cra，在6cm直径范围内厚度均匀性

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